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반도체 산업

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[변리사가 알려주는 반도체 공정] 반도체 패키징 - 하이브리드 본딩이 뜬다고? Hybrid bonding 이란?! 하이브리드 본딩이란? / 반도체 칩 - 패키지 기판 본딩의 역사 - 다이렉트 본딩 / 웨이퍼 투(to) 웨이퍼 본딩 / 다이 투(to) 다이 본딩 / Cupper to Cupper 카파 투 카파 본딩 이라고도 불린다 - 종래, 반도체 칩들과 패키지 기판 사이를 전기적으로 연결시키기 위해서 “와이어 본딩”을 사용함. (Wire bonding) - 더 많은 입출력 위해서는 더 미세한 와이어로 와이어 개수를 늘려야 했으나, 더 미세한 와이어를 만드는 데 한계. 더 많은 입출력 위해 FC-BGA(플립 칩 볼 그리드 어레이) 등장. - FC-BGA란, 전도성의 솔더 볼(solder ball)을 반도체 칩과 패키지 기판 사이에 붙이는 방식. 솔더 볼을 격자 구조로 배치해 그리드 어레이라고 함. - 더 많은 입출력 ..
[변리사가 알려주는 반도체 공정] # 포토레지스트 공정 - PAG, PDQ, quencher, ArF, EUV? 01. 포토리소그래피(photo lithography) 기술이란 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하고, 포토레지스트 막에 대해 일정 패턴의 개구부를 가지는 포토마스크를 통해 광/전자선 등의 방사선을 조사한다. 방사선을 조사하면, 일정 패턴의 개구부에 의해 노출된 포토레지스트 막은 화학적 성질이 변한다! 이후, 현상액을 부어 화학적 성질이 변한 포토레지스트 막을 제거하거나 잔류시킴으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다. 포토레지스트 막을 형성하는 포토레지스트 조성물은 Positive // Negative 형으로 구별된다. [Positive] 현상액에 의해 노광된 포토레지스트 막이 제거 >> 포토레지스트 막은 현상액에 용해 X >> 포토레지스트 막이 노광된 부분 (*광/전자선 등에 노출된 부분) : 현상액에 용..
[변리사가 알려주는 반도체 공정] 디램(DRAM)의 구조 및 동작 원리, 앞으로의 디램 산업? 1. DRAM의 구조 - DRAM은 1개의 트랜지스터 (1Tr) + 1개의 커패시터 (1Cap)으로 구성되어 있으며, 이를 회로적으로 표현하면 좌측 그림, 구조적으로 표현하면 우측 그림과 같다. - DRAM을 구성하는 명칭에 대해 설명하면, 커패시터: 전하가 저장되어 있으면 데이터 1을 저장, 저장되어 있지 않으면 데이터 0을 저장하는 요소 트랜지스터: 데이터를 읽고 쓰기 위해 커패시터에 연결되는 요소 워드 라인(WL): 트랜지스터에 연결된 도선으로, 트랜지스터에 ON/OFF를 명령하여 커패시터 접근 여부를 결정 비트 라인(BL): 소스/드레인(Source, Drain = S/D)에 연결된 도선으로, 커패시터에 저장된 데이터를 읽고 쓰는 역할 - DRAM에 어떻게 데이터를 저장하는 지 1) 데이터 "1"..
[변리사가 알려주는 반도체 공정] 낸드 플래시와 디램 1. 낸드 플래시(NAND flash), 디램(DRAM)의 비교 낸드 플래시와 디램은 모두 반도체 메모리 장치로, "많은 데이터"를 저장하고, "데이터를 빠르게 읽고, 쓰는" 능력이 중요하다. 반도체 산업의 핵심은, “고집적화“ 를 도모하면서도, “구조적안정성“과 도전성을 가지는 구성들 간에 간섭이 일어나지 않도록 하여 “정확성”을 도모하는 것이다. 전원 OFF 시 데이터 저장 여부 데이터 저장 위치 1 Cell 기본 구조 낸드 플래시(NAND flash) 데이터 저장O / 비휘발성 메모리 플로팅 게이트 1Tr + FG(floating gate) 디램(DRAM) 데이터 저장X / 휘발성 메모리 캐패시터 1Tr + 1Cap 2. 낸드 플래시(NAND flash)의 구조 및 동작 원리 - 낸드 플래시는 트랜..

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